RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2000, том 30, номер 10, страницы 878–880 (Mi qe1826)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Лазеры

Оптические потери в напряженных квантоворазмерных полупроводниковых лазерах с гребневым волноводом

А. П. Богатовa, А. Е. Болтасеваb, А. Е. Дракинa, В. П. Коняевc

a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b Московский физико-технический институт (государственный университет), г. Долгопрудный, Московская обл.
c ГП НИИ "Полюс", г. Москва

Аннотация: Представлены результаты экспериментального определения оптических потерь в полупроводниковых лазерах с гребневым волноводом. Проведены исследования квантоворазмерных полупроводниковых лазеров на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs с одной квантовой ямой в спектральном диапазоне 1019 — 1042 нм, соответствующем длинноволновому крылу линии полного модового усиления. Показано, что основным механизмом оптических потерь, по-видимому, является рассеяние света на оптических неоднородностях волновода лазера, в то время как поглощение на свободных носителях заряда в изученных полупроводниковых лазерах существенной роли не играет.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 23.05.2000


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2000, 30:10, 878–880

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024