Аннотация:
Представлены результаты экспериментального определения оптических потерь в полупроводниковых лазерах с гребневым волноводом. Проведены исследования квантоворазмерных полупроводниковых лазеров на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs с одной квантовой ямой в спектральном диапазоне 1019 — 1042 нм, соответствующем длинноволновому крылу линии полного модового усиления. Показано, что основным механизмом оптических потерь, по-видимому, является рассеяние света на оптических неоднородностях волновода лазера, в то время как поглощение на свободных носителях заряда в изученных полупроводниковых лазерах существенной роли не играет.