RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2023, том 53, номер 5, страницы 401–405 (Mi qe18291)

Активные среды

Механизм вынужденного комбинационного рассеяния света в кремнии, легированном гелиеподобными донорами

Р. Х. Жукавин, В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Теоретически изучен кремний, легированный нейтральными гелиеподобными донорами магния, в качестве активной среды в терагерцевом диапазоне частот. Инверсионный механизм, реализующийся в Si:Mg, при оптическом возбуждении не обладает необходимой эффективностью ввиду наличия быстрых релаксационных процессов. Напротив, механизм вынужденного комбинационного рассеяния обладает меньшей чувствительностью к временам релаксации и позволяет получать перестройку спектра генерации. Важной особенностью двухзарядных доноров оказывается наличие двух стоксовых сдвигов в системе, что позволяет существенно расширить диапазон излучаемых частот. Расчеты показали, что комбинированное использование одноосной деформации кристалла и перестройки энергии кванта возбуждения в диапазоне 95 – 105 мэВ (23 – 25.5 ТГц) позволит получить ВКР в полосе частот 7 – 33 мэВ (∼1.5 – 8 ТГц).

Ключевые слова: вынужденное комбинационное рассеяние, сечение усиления, кремний, двухзарядные доноры.

Поступила в редакцию: 01.02.2022
Исправленный вариант: 01.02.2023


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2023, 50:suppl. 9, S1015–S1021


© МИАН, 2024