RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2023, том 53, номер 8, страницы 636–640 (Mi qe18318)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Лазеры

Исследование полупроводникового дискового лазера, излучающего на длине волны 780 нм, на основе гетероструктуры с квантовыми ямами AlxGa1-xAs/AlyGa1-yAs при оптической накачке с различной длиной волны излучения

В. И. Козловскийa, С. М. Женишбековa, Я. К. Скасырскийa, М. П. Фроловa, А. Ю. Андреевb, И. В. Яроцкаяb, А. А. Мармалюкb

a Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, Россия, 119991 Москва
b Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, Россия, 117342 Москва

Аннотация: Исследован полупроводниковый дисковый лазер (ПДЛ) на основе гетероструктуры AlxGa1-xAs/AlyGa1-yAs, излучающий на длине волны вблизи 780 нм, при накачке импульсным лазером на красителе с длинами волн излучения 601 и 656 нм. Использовалась структура с встроенным брэгговским зеркалом и 10 квантовыми ямами (КЯ), расставленными по глубине с периодом, равным половине длины волны излучения лазера в структуре. При накачке с λ = 601 нм достигнута мощность 9.3 Вт на длине волны 782 нм при дифференциальном коэффициенте полезного действия (КПД) 12%. При накачке с λ = 656 нм дифференциальный КПД практически не изменился, хотя поглощение накачки по глубине было более однородным. Эти результаты сравниваются с результатами, полученными ранее при накачке лазерами с длинами волн 450 и 532 нм, а также при накачке электронным пучком. Делается заключение, что распределение неравновесных носителей по КЯ в значительной степени определяется их длиной диффузии, которая в данной структуре равна примерно 1 мкм.

Ключевые слова: полупроводниковый дисковый лазер, гетероструктура AlxGa1-xAs/AlyGa1-yAs, оптическая накачка, квантовые ямы.

Поступила в редакцию: 26.05.2023
Исправленный вариант: 03.10.2023


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2023, 50:suppl. 12, S1348–S1355


© МИАН, 2024