RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2023, том 53, номер 8, страницы 667–671 (Mi qe18322)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Применение лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Мощные линейки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур (Al)GaAs/AlGaAs/GaAs и GaAsP/GaInP/GaAs

Н. В. Гультиковa, К. Ю. Телегинa, А. Ю. Андреевa, Л. И. Шестакb, В. А. Панаринb, М. Ю. Старынинb, А. А. Мармалюкa, М. А. Ладугинa

a ООО "Сигм Плюс", Россия, 117342 Москва
b ООО НПП "Инжект", Россия, 410033 Саратов

Аннотация: Представлены теоретические и экспериментальные результаты сравнения мощных лазерных линеек спектрального диапазона 800 – 810 нм, изготовленных на основе гетероструктур (Al)GaAs/AlGaAs и GaAsP/GaInP. Лучшие результаты были продемонстрированы для линеек на основе гетероструктур GaAsP/GaInP. Максимальные значения выходной оптической мощности лазерных линеек длиной 1 см в квазинепрерывном режиме накачки достигали 370 – 380 Вт. Обсуждается возможная причина различия выходных мощностей линеек на основе исследуемых систем материалов и приведены способы дальнейшего увеличения мощности излучения.

Ключевые слова: мощные линейки лазерных диодов, безалюминиевая гетероструктура.

Поступила в редакцию: 08.05.2023
Исправленный вариант: 22.07.2023


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2023, 50:suppl. 12, S1391–S1397


© МИАН, 2024