Н. В. Гультиков, К. Ю. Телегин, А. Ю. Андреев, Л. И. Шестак, В. А. Панарин, М. Ю. Старынин, А. А. Мармалюк, М. А. Ладугин, “Мощные линейки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур (Al)GaAs/AlGaAs/GaAs и GaAsP/GaInP/GaAs”, Квантовая электроника, 53:8 (2023), 667

Эта публикация цитируется в 1 статье

Применение лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Мощные линейки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур (Al)GaAs/AlGaAs/GaAs и GaAsP/GaInP/GaAs

Н. В. Гультиков^a, К. Ю. Телегин^a, А. Ю. Андреев^a, Л. И. Шестак^b, В. А. Панарин^b, М. Ю. Старынин^b, А. А. Мармалюк^a, М. А. Ладугин^a

^a ООО "Сигм Плюс", Россия, 117342 Москва
^b ООО НПП "Инжект", Россия, 410033 Саратов

Аннотация: Представлены теоретические и экспериментальные результаты сравнения мощных лазерных линеек спектрального диапазона 800 – 810 нм, изготовленных на основе гетероструктур (Al)GaAs/AlGaAs и GaAsP/GaInP. Лучшие результаты были продемонстрированы для линеек на основе гетероструктур GaAsP/GaInP. Максимальные значения выходной оптической мощности лазерных линеек длиной 1 см в квазинепрерывном режиме накачки достигали 370 – 380 Вт. Обсуждается возможная причина различия выходных мощностей линеек на основе исследуемых систем материалов и приведены способы дальнейшего увеличения мощности излучения.

Ключевые слова: мощные линейки лазерных диодов, безалюминиевая гетероструктура.

Поступила в редакцию: 08.05.2023
Исправленный вариант: 22.07.2023