RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2000, том 30, номер 12, страницы 1037–1042 (Mi qe1861)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Активные среды

Моделирование кинетики активной среды рентгеновского лазера в условиях мощного пикосекундного нагрева

В. Ю. Политов, В. А. Лыков, М. К. Шинкарев

Российский федеральный ядерный центр — Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. академика Е. И. Забабахина, г. Снежинск Челябинской обл.

Аннотация: Проведено численное моделирование коэффициентов усиления на 3S — 3P-переходах Ne-подобных ионов, возникающих в процессе нагрева веществ пикосекундными импульсами мощных лазеров. Исследованы зависимости этих коэффициентов от средних значений заряда ядра Z и интенсивности облучения. Сделаны прогнозы о предельно короткой длине волны рентгеновского излучения, которое можно получить из плазмы Ne-подобных ионов.

PACS: 42.55.Vc, 52.50.Jm, 52.25.Nr

Поступила в редакцию: 29.05.1998


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2000, 30:12, 1037–1042

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024