RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1994, том 21, номер 9, страницы 829–834 (Mi qe190)

Эта публикация цитируется в 22 статьях

Управление параметрами лазерного излучения

Изменение формы и состояния поляризации короткого импульса света (λ ~1.06 мкм) при распространении в кристалле ИАГ:Cr4+

Н. Н. Ильичев, А. В. Кирьянов, П. П. Пашинин, С. М. Шпуга, Э. С. Гулямова

Институт общей физики РАН, г. Москва

Аннотация: Исследован эффект изменения формы и состояния поляризации короткого (25 нс) резонансного импульса света (λ ~1.06 мкм) при распространении его в кристалле ИАГ:Сr4+. Экспериментальные результаты хорошо согласуются с теорией, в которой поглощение света примесными центрами Сr4+ в кристалле ИАГ описывается феноменологически как результат взаимодействия света с тремя ортогональными группами резонансных линейных диполей. Продемонстрирована возможность управления формой импульса излучения, распространяющегося через систему поляризатор – кристалл ИАГ:Сr4+ – поляризатор. При подаче на вход данной системы одночастотного моноимпульса света на ее выходе получены импульсы с двумя и тремя максимумами интенсивности, что является прямым следствием эффекта самоиндуцированного изменения состояния поляризации излучения в кристалле ИАГ:Сr4+ на стадии насыщения поглощения.

PACS: 78.50.Ec, 42.65.Re

Поступила в редакцию: 31.03.1994


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1994, 24:9, 771–776

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024