RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2001, том 31, номер 3, страницы 209–217 (Mi qe1919)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Лазеры

Кинетическая модель активной среды He – Ar-лазера с накачкой жестким ионизатором

Д. Н. Бабичевa, А. В. Карелинa, О. В. Симаковаa, Х. Томизаваb

a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
b Japan Synchrotron Radiation Research Institute

Аннотация: Создана подробная нестационарная кинетическая модель He – Ar-лазера с накачкой жестким ионизатором. Численным моделированием установлено, что основными механизмами накачки верхнего рабочего уровня в зависимости от содержания аргона в смеси являются тройная рекомбинация атомарных ионов аргона с электронами или диссоциативная рекомбинация молекулярных ионов аргона с электронами. Конверсия димерных молекулярных ионов аргона в тримерные, тушение верхнего рабочего уровня нейтральными атомами и уширение спектральной линии обуславливают оптимальные условия генерации по полному давлению смеси и парциальному давлению аргона при различных условиях возбуждения. Модель удовлетворительно описывает целый ряд экспериментов по электронно-пучковой и ядерной накачке. В результате оптимизации He – Ar-лазера с ядерной накачкой от реактора ВИР-2М на λ = 1.79 мкм получен максимальный КПД генерации 1.2%.

PACS: 42.55.Lt, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 29.09.2000


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2001, 31:3, 209–217

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024