RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2001, том 31, номер 3, страницы 247–251 (Mi qe1926)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Лазерное охлаждение примесных кристаллов

С. Н. Андриановa, В. В. Самарцевb

a ФГУП «НПО "Государственный институт прикладной оптики"», г. Казань
b Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского, КазНЦ РАН

Аннотация: Сообщается об основных экспериментальных достижениях в новой области физики – лазерном охлаждении твердых тел. В рамках метода неравновесного статистического оператора построена теория лазерного охлаждения примесного кристалла. Результаты теории сопоставлены с результатами экспериментов, проведенных в Лос-Аламосской национальной лаборатории (США).

PACS: 32.80.Pj, 61.72.-y

Поступила в редакцию: 21.03.2000
Исправленный вариант: 12.10.2000


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2001, 31:3, 247–251

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024