С. И. Кудряшов, В. И. Емельянов, “Структурные переходы в GaAs в течение лазерного импульса длительностью 100 фс”, Квантовая электроника, 31:7 (2001), 565

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Письма

Структурные переходы в GaAs в течение лазерного импульса длительностью 100 фс

С. И. Кудряшов, В. И. Емельянов

Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова

Аннотация: Впервые экспериментально показано, что накачка образца GaAs лазерным импульсом длительностью 100 фс приводит в течение импульса к плазменно-индуцированному схлопыванию запрещенной зоны и "холодному" плавлению материала.

PACS: 78.40.Fy, 78.47.+p

Поступила в редакцию: 20.03.2001