А. Ю. Абазадзе, В. В. Безотосный, Т. Г. Гурьева, Е. И. Давыдова, И. Д. Залевский, Г. М. Зверев, А. В. Лобинцов, А. А. Мармалюк, С. М. Сапожников, В. А. Симаков, М. Б. Успенский, В. А. Шишкин, “150-ваттные квазинепрерывные диодные линейки на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs с длиной волны 808 нм и улучшенными тепловыми параметрами”, Квантовая электроника, 31:8 (2001), 659

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Письма

150-ваттные квазинепрерывные диодные линейки на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs с длиной волны 808 нм и улучшенными тепловыми параметрами

А. Ю. Абазадзе^a, В. В. Безотосный^b, Т. Г. Гурьева^a, Е. И. Давыдова^a, И. Д. Залевский^a, Г. М. Зверев^a, А. В. Лобинцов^a, А. А. Мармалюк^a, С. М. Сапожников^a, В. А. Симаков^a, М. Б. Успенский^a, В. А. Шишкин^a

^a ФГУП «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва
^b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: Получены лазерные линейки на длине волны 808 нм с рекордно высокими излучательными параметрами. Выходная мощность линеек равнялась 150 вт при токе накачки 146 А и длительности импульса 0.2 мс и была ограничена максимальным током источника питания. Внешняя дифференциальная квантовая эффективность, измеренная со стороны выходного зеркала, составила 80%, максимально полный КПД – 51%.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 28.06.2001