RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2001, том 31, номер 7, страницы 597–598 (Mi qe2010)

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Исследование стойкости поглощающих центров в кристалле CaF2:Pr2+ к воздействию мощного лазерного излучения

Н. Н. Ильичев, П. П. Пашинин, Э. С. Гулямова

Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Экспериментально обнаружено изменение коэффициента поглощения кристалла CaF2:Pr2+ в области спектра 530–1000 нм после воздействия на него излучения импульсно-периодического неодимового лазера (λ = 1.064 мкм) с энергией 30 мДж и длительностью 20 нс при плотности мощности 500 МВт/см2. Спектр изменения коэффициента поглощения после воздействия 105 имп. имеет вид широкой (~3000 см-1) полосы с центром вблизи 710 нм и максимальным коэффициентом поглощения 1.1 см-1.

PACS: 82.37.Vb, 78.20.Ci

Поступила в редакцию: 21.12.2000
Исправленный вариант: 13.04.2001


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2001, 31:7, 597–598

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024