Мощные непрерывные 2.5-Вт лазерные диоды, изготовленные в системе AlGaAs/GaAs

Изготовлены и исследованы непрерывные лазерные полупроводниковые излучатели с рабочей мощностью 2.5 Вт при ширине полоскового контакта 100 мкм, излучающие на длине волны 850 нм. Лазерная гетероструктура с сильнолегированным Р-эмиттером изготавливалась МОС-гидридным методом в системе AlGaAs/GaAs. При длине резонатора 800 мкм внешняя дифференциальная квантовая эффективность составила 84% (1.2 Вт/А), а характеристическая температура порогового тока была равна 230 К. Прогнозируемый ресурс работы – более 5·10³ ч.