RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2001, том 31, номер 7, страницы 629–633 (Mi qe2017)

Эта публикация цитируется в 19 статьях

Лазеры. Активные среды

Ион-ионная рекомбинация в SF6 и смесях SF6–C2H6 при высоких значениях E/N

В. В. Аполлоновa, А. А. Белевцевb, С. Ю. Казанцевa, А. В. Сайфулинa, К. Н. Фирсовa

a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
b Институт теплофизики экстремальных состояний Объединенного института высоких температур РАН, г. Москва

Аннотация: Измерены коэффициенты ион-ионной рекомбинации в распадающейся плазме SF6 и смесей SF6–C2H6 в диапазоне давлений 15–90 мм рт. ст. при приведенных напряженностях поля 100–250 Tд. Проанализирован зарядовый состав и определены доминирующие каналы ион-ионной рекомбинации в таких плазмах. Получены соотношения для оценки приэлектродных падений потенциала в условиях распадающейся плазмы в сильно электроотрицательных газах. Путем экстраполяции результатов измерений оценивается коэффициент ион-ионной рекомбинации в SF6 при напряженностях поля, близких к критической. Сделан вывод о необходимости учета ион-ионной рекомбинации при расчете характеристик разряда в нецепных HF-лазерах.

PACS: 42.55.Ks, 52.27.Jt

Поступила в редакцию: 12.03.2001


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2001, 31:7, 629–633

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024