RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2001, том 31, номер 8, страницы 661–677 (Mi qe2025)

Эта публикация цитируется в 29 статьях

Обзор

Основные тенденции развития твердотельных лазеров с полупроводниковой накачкой

Н. В. Кравцов

НИИ ядерной физики им. Д. В. Скобельцына, МГУ им. М. В. Ломоносова

Аннотация: Рассмотрены твердотельные лазеры нового поколения – твердотельные лазеры с полупроводниковой накачкой (ТЛПН). Проанализированы перспективы их дальнейшего развития. Показано, что ТЛПН практически по всем параметрам превосходят традиционные лазеры с ламповой накачкой.

PACS: 42.55.Rz, 42.55.Xi, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 14.03.2001


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2001, 31:8, 661–677

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024