RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2001, том 31, номер 8, страницы 740–744 (Mi qe2037)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Теория дифференциального и интегрального рассеяния лазерного излучения на поверхности диэлектрика с учетом наличия дефектного слоя

В. В. Азароваa, В. Г. Дмитриевa, Ю. Н. Лоховa, К. Н. Малицкийb

a Федеральное государственное унитарное предприятие «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва
b Московский физико-технический институт (государственный университет), г. Долгопрудный, Московская обл.

Аннотация: Теоретически исследовано дифференциальное и интегральное рассеяние света на диэлектрических поверхностях с учетом наличия тонкого приповерхностного дефектного слоя. Методом функций Грина найдены выражения для интенсивности дифференциального и полного интегрального рассеяния. Найдены условия, при которых рассеянием на дефектном слое можно пренебречь по сравнению с рассеянием на шероховатости. Предложена методика разделения рассеяний, связанных с шероховатостью и с дефектным слоем. Проведены оценки типичных изменений диэлектрической проницаемости и интенсивности рассеяния, соответствующих дефектному слою, связанному с повышенной концентрацией структурных дефектов в приповерхностной области.

PACS: 42.25.Fx, 42.55.-f, 61.72.-y

Поступила в редакцию: 23.03.2001


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2001, 31:8, 740–744

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024