RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2001, том 31, номер 9, страницы 767–773 (Mi qe2042)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Физические основы квантовой электроники

Метод многократных отражений для электромагнитных волн в слоистых диэлектрических структурах

Г. В. Морозов, Р. Г. Маев, Г. В. Ф. Дрейк

Department of Physics, University of Windsor, Canada

Аннотация: Исследуются отражение и прохождение плоской электромагнитной волны в слоистой диэлектрической структуре с произвольным числом слоев разной толщины. В общем случае наклонного падения волны на такую структуру методом многократных отражений рассчитаны коэффициенты отражения для ТЕ- и ТМ-волн. Предложен алгоритм использования полученных формул для численных и приближенных аналитических расчетов.

PACS: 42.25.Bs, 78.66.Db

Поступила в редакцию: 11.05.2001


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2001, 31:9, 767–773

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024