В. В. Рандошкин, М. И. Беловолов, Н. В. Васильева, К. А. Зыков-Мызин, А. М. Салецкий, Н. Н. Сысоев, А. Н. Чуркин, “Люминесценция Nd-содержащих эпитаксиальных монокристаллических пленок гранатов, выращенных на подложках Gd3Ga5O12”, Квантовая электроника, 31:9 (2001), 799

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Активные среды. Лазеры

Люминесценция Nd-содержащих эпитаксиальных монокристаллических пленок гранатов, выращенных на подложках Gd₃Ga₅O₁₂

В. В. Рандошкин^a, М. И. Беловолов^b, Н. В. Васильева^a, К. А. Зыков-Мызин^b, А. М. Салецкий^c, Н. Н. Сысоев^c, А. Н. Чуркин^c

^a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
^b Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва
^c Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова

Аннотация: На подложках Gd₃Ga₅O₁₂ с ориентацией (111) методом жидкофазной эпитаксии из переохлажденного раствора-расплава на основе PbO–B₂O₃ выращена серия эпитаксиальных пленок, в которых атомная концентрация неодима варьируется в диапазоне 1–15%. Измерены спектры поглощения и люминесценции при полупроводниковой диодной накачке, а также время жизни активных ионов. Определена концентрационная зависимость характерного времени люминесценции ионов Nd³⁺.

PACS: 32.50.Jr, 32.50.+d, 78.66.Nk

Поступила в редакцию: 23.04.2001