RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2001, том 31, номер 10, страницы 937–939 (Mi qe2080)

Эта публикация цитируется в 26 статьях

Нелинейно-оптические явления и приборы

Оптические свойства полупроводника при двухфотонном возбуждении биэкситонов мощным импульсом накачки и однофотонном зондировании в области М-полосы

А. В. Коровай, П. И. Хаджи

Приднестровский государственный университет им. Т. Г. Шевченко, физико-математический факультет, г. Тирасполь

Аннотация: Показано, что в условиях двухфотонного возбуждения биэкситонов из основного состояния кристалла фотонами мощного импульса имеет место усиление слабого пучка лазерного излучения в области М-полосы.

PACS: 42.25.Bs, 42.65.An, 78.20.Ci

Поступила в редакцию: 04.06.2001
Исправленный вариант: 22.08.2001


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2001, 31:10, 937–939

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024