П. Г. Елисеев, С. В. Гастев, А. Коизуми, Ю. Фудживара, Я. Такеда, “Вынужденное излучение GaAs:Er,O на длине волны 1538 нм”, Квантовая электроника, 31:11 (2001), 962

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Лазеры и лазерные среды

Вынужденное излучение GaAs:Er,O на длине волны 1538 нм

П. Г. Елисеев^a, С. В. Гастев^b, А. Коизуми^c, Ю. Фудживара^c, Я. Такеда^c

^a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c Nagoya University, Japan

Аннотация: Изучено спонтанное излучение и оптическое усиление в эпитаксиальных слоях GaAs, легированных эрбием и кислородом и выращенных МОС-гидридным методом. Для получения высокой концентрации эрбия – до 8·10¹⁸ cм^-3 – использованы оптимальные ростовые условия. Измерения методом Шакли–Лехени показали наличие оптического усиления (~45 cм^-1) при сравнительно низкой интенсивности накачки (~0.1 кВт/cм²) и температуре 77 K.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 29.08.2001