RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1994, том 21, номер 10, страницы 981–984 (Mi qe210)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Поляризационные свойства диэлектрических структур с двусторонним поверхностным рельефом

В. Н. Бельтюгов, А. В. Лейс

Институт автоматики и электрометрии СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Исследованы поляризационные свойства диэлектрических структур с двусторонним периодическим рельефом. Кратко описан метод, позволяющий рассчитывать зависимости пропускания, отражения и потерь в диэлектрическом слое с периодическим поверхностным рельефом от толщины диэлектрического слоя, длины волны или угла падения излучения. Обнаружено с помощью численного расчета, а затем подтверждено экспериментально, что для подобных структур наблюдаются поляризационно-зависящие резкие изменения пропускания и отражения вблизи некоторых длин волны или толщин диэлектрического слоя.

PACS: 42.79.Dj, 42.79.Ci

Поступила в редакцию: 21.01.1994


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1994, 24:10, 915–917

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024