RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2001, том 31, номер 12, страницы 1084–1088 (Mi qe2111)

Эта публикация цитируется в 15 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Релаксация ридберговских состояний в ультрахолодной лазерной плазме

A. Н. Ткачев, С. И. Яковленко

Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Рассчитаны изменения населенностей ридберговских состояний (с главным квантовым числом n ~50–100) в расширяющейся ультрахолодной лазерной плазме (Ne ~109–104 см-3, Te ~10–0.5 К). Показано, что измерение температуры электронов, восстановленное по измеренным населенностям ридберговских состояний (T. C. Killian et al. Phys .Rev. Letts, v. 86, p. 3759, 2001), описывается традиционной теорией тройной рекомбинации при учете рекомбинационного нагрева свободных электронов.

PACS: 32.80.Rm, 52.50.Jm

Поступила в редакцию: 13.09.2001


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2001, 31:12, 1084–1088

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024