RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2002, том 32, номер 1, страницы 66–70 (Mi qe2128)

Эта публикация цитируется в 10 статьях

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Сверхразрешение на сингулярных участках фазовых изображений

А. В. Кретушев, В. П. Тычинский

Московский институт радиотехники, электроники и автоматики

Аннотация: С помощью лазерного фазового микроскопа "Эйрискан" показана возможность локализации элементов структуры поверхности с большим градиентом высоты профиля и линейными размерами 25–40 нм, что соответствует превышению рэлеевского критерия в 10–15 раз. Оценка ширины элементов структуры проводилась по протяженности участка повышенной интенсивности флуктуаций фазы. В качестве тест-объекта использовалась металлизированная подложка компакт-диска с известной структурой поверхности. При периодическом сканировании поверхности измерялись флуктуации оптической разности хода, интенсивность которых возрастала на крутых участках профиля. Показано, что протяженность участка повышенной интенсивности флуктуаций фазы близка к измеренной ширине крутого участка профиля. Интенсивность флуктуаций увеличивалась с ростом квадрата градиента высоты, а их пространственная протяженность заметно уменьшалась при увеличении апертуры объектива. Эти измерения объясняют высокую чувствительность динамической фазовой микроскопии к флуктуациям оптической разности хода на участках с большим градиентом показателя преломления. Увеличение интенсивности на склонах профиля фазовой высоты и пространственно-временная корреляция флуктуаций наблюдались в митохондриях и других биологических объектах.

PACS: 07.79.Fc

Поступила в редакцию: 14.06.2001


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2002, 32:1, 66–70

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024