RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1994, том 21, номер 10, страницы 991–993 (Mi qe213)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Разориентированные наложенные дифракционные решетки, сформированные электронно-лучевой записью в аморфных пленках сульфида мышьяка

С. А. Сергеев, А. А. Симашкевич, С. Д. Шутов

Институт прикладной физики АН Молдавии, г. Кишинев

Аннотация: Методом электронно-лучевой записи в аморфных пленках сульфида мышьяка As2S3 получены наложенные фазовые дифракционные решетки с числом наложений N = 2–10 и углом разориентации π/N. Исследована электроностимулированная модуляция показателя преломления n1 = 10-3–10-2 наложенных решеток в зависимости от числа наложений. Основным фактором, ограничивающим число взаимонезависимых наложенных решеток, является предел линейности отклика регистрирующей среды в узловых областях, где суммарная доза облучения максимальна.

PACS: 42.79.Dj, 81.40.Tv

Поступила в редакцию: 28.01.1994


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1994, 24:10, 924–926

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024