RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2002, том 32, номер 3, страницы 197–201 (Mi qe2159)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Специальный выпуск, посвященный 40-летию НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха

О кинетике безызлучательного переноса энергии в фосфатных Yb–Er-стеклах, возбуждаемых диодным лазером

Ю. П. Рудницкийa, Л. В. Шачкинa, И. Д. Залевскийb

a ГНЦ РФ – Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований
b ФГУП «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва

Аннотация: Экспериментально исследована зависимость люминесценции фосфатного Yb–Er-cтекла, возбуждаемого излучением диодного лазера, от плотности поглощенной образцом энергии и интенсивности излучения накачки. Обнаружено скачкообразное изменение частоты расселения уровня Yb3+(2F5/2) после выключения источника накачки. На основе имеющихся в настоящее время представлений о кинетике безызлучательного переноса энергии в стеклах и кристаллах предложено качественное объяснение эффекта.

PACS: 32.50.+d, 42.70.Hj, 42.55.Xi

Поступила в редакцию: 14.12.2001


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2002, 32:3, 197–201

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024