RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2002, том 32, номер 3, страницы 205–209 (Mi qe2161)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Специальный выпуск, посвященный 40-летию НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха

Эффективность поперечной накачки импульсного твердотельного лазера на Nd:YAG линейками лазерных диодов

А. Ю. Абазадзе, Г. М. Зверев, Ю. М. Колбацков

ФГУП «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва

Аннотация: Экспериментально исследован YAG:Nd3+-лазер с поперечной схемой накачки цилиндрического активного элемента квазинепрерывными линейками лазерных диодов, расположенными вокруг его боковой поверхности. Разработанные модули накачки с симметричной и несимметричной геометрией позволили реализовать в режиме многомодовой свободной генерации дифференциальную эффективность порядка 48 и 55% при накачке элементов диаметром 3 и 5 мм соответственно. В условиях, соответствующих данной эффективности использования излучения линеек лазерных диодов, в режиме модуляции добротности резонатора была получена генерация импульсов с энергией 28 и 55 мДж.

PACS: 42.55.Rz, 42.55.Xi, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 18.02.2002


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2002, 32:3, 205–209

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024