ГВГ в кристаллах с регулярной доменной структурой в приближении заданной интенсивности

В приближении заданной интенсивности основного излучения рассчитана эффективность ГВГ в кристаллах с регулярной доменной структурой. Показано, что, как и в однородных кристаллах, это приближение с точностью до множителя (l/L)⁶ совпадает с точным решением для нелинейного режима даже при точном выполнении условия квазисинхронизма, а с ростом расстройки относительная точность этого приближения возрастает (l–длина кристалла, L–нелинейная длина). При этом даже при точном квазисинхронизме в таком кристалле можно пользоваться приближением заданной интенсивности вплоть до l ≈ L, а в приближении заданного поля – только в области l<0.3L.