RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2002, том 32, номер 3, страницы 260–263 (Mi qe2176)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Лазеры

Влияние усиленной люминесценции на порог генерации длинноволновых инжекционных лазеров

Л. И. Буровa, И. Н. Вараксаa, С. В. Войтиковb, М. И. Крамарb, А. Г. Рябцевa, Г. И. Рябцевb

a Белорусский государственный университет, г. Минск
b Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, г. Минск

Аннотация: На основе решений уравнений переноса излучения исследовано влияние усиленной люминесценции на порог генерации длинноволновых инжекционных InGaAsP/InP-лазеров с массивным и квантоворазмерным активными слоями, излучающих в диапазоне 1.3–1.55 мкм. Установлено, что усиленная люминесценция, захватываемая в резонаторе лазера с полосковым контактом, может приводить к росту пороговой плотности тока в два и более раз. Показано, что влияние усиленной люминесценции на температурную зависимость порогового тока сильнее всего проявляется в лазерах с большей длиной волны генерации, а при прочих равных условиях – в лазерах с квантоворазмерным активным слоем.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 03.10.2001


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2002, 32:3, 260–263

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024