RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2002, том 32, номер 4, страницы 289–293 (Mi qe2185)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Активные среды

Деионизация плазмы послесвечения за счет ускоренной амбиполярной диффузии

Е. Л. Латуш, О. О. Пруцаков, Г. Д. Чеботарев

Ростовский государственный университет, физический факультет

Аннотация: Математически смоделирована ускоренная амбиполярная диффузия частиц в послесвечении разрядов в смесях He–Cu и Ne–Cu. Расчеты показали, что при давлениях буферного газа 8 – 10 Тор и диаметрах трубки 4 – 10 мм при наложении на послесвечение греющего поля E ≈ 0.3 – 1.3 В/см за время ~100 мкс концентрация электронов уменьшается в 102–104 по сравнению с таковой в отсутствие греющего поля. Показано, что этот эффект наиболее выражен в гелии. Согласно расчетам, применение ускоренной амбиполярной диффузии в межимпульсный период позволит на 20 – 50% увеличить частоту следования импульсов в лазере на парах меди в трубках небольшого диаметра (4 – 6 мм) и при малых давлениях буферного газа (6 – 8 Тор). Создание избыточной предымпульсной концентрации метастабилей меди может быть предотвращено прерыванием подогрева плазмы за 3 – 6 мкс до начала следующего импульса возбуждения.

PACS: 52.80.-s

Поступила в редакцию: 08.11.2001


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2002, 32:4, 289–293

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024