Исследование характеристик одночастотных полупроводниковых лазеров в системе GaAs/AlGaAs

Экспериментально и теоретически исследованы характеристики одночастотных лазеров. Показано, что модель выгорания спектрального провала с переменным временем внутризонной релаксации позволяет удовлетворительно описать спектральные и (совместно с моделью, учитывающей транспорт носителей) амплитудно-частотные характеристики лазера. При этом время захвата носителей в квантовую яму составляет 4 пс, а время выброса – 80 пс.