RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2002, том 32, номер 5, страницы 437–442 (Mi qe2214)

Эта публикация цитируется в 10 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество

Эффективность образования фрактальных структур при лазерном испарении

Н. Е. Каск, Е. Г. Лексина, С. В. Мичурин, Г. М. Федоров, Д. Б. Чопорняк

НИИ ядерной физики им. Д. В. Скобельцына, МГУ им. М. В. Ломоносова

Аннотация: Экспериментально исследовано образование фракталов при лазерном испарении различных сред (металлов и диэлектриков) десятимиллисекундными импульсами излучения неодимового лазера в зависимости от плотности светового потока и внешнего давления. Установлено, что формирование фракталов происходит во время действия лазерного импульса в объеме плазменного факела. Обнаружено, что мелкодисперсная фаза при некотором критическом давлении образует в периферийных слоях факела связанную оболочку (макрофрактал). Наличие оболочки, ограничивающей разлет плазмы, приводит к пороговому изменению характеристик оптического разряда.

PACS: 52.38.Mf, 61.43.Hv

Поступила в редакцию: 04.02.2002


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2002, 32:5, 437–442

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024