RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2002, том 32, номер 5, страницы 449–454 (Mi qe2217)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Управление параметрами лазерного излучения

О влиянии молекулярных добавок на параметры излучения лазера на атомарных переходах ксенона

А. В. Феденев, В. Ф. Тарасенко, В. С. Скакун

Институт сильноточной электроники СО РАН, г. Томск

Аннотация: Экспериментально исследован лазер на атомарных переходах ксенона при различных длительностях и мощностях накачки пучком электронов в широком диапазоне рабочих смесей и давлений, в том числе при добавках молекулярных газов. Показано, что максимальные удельные мощности генерации реализуются при больших удельных мощностях накачки (более 200 кВт·см-3·атм-1) и длительности импульса тока пучка десятки наносекунд в смесях Ar–Xe повышенного давления с добавками молекулярных газов (N2 и CO2). Получена удельная мощность излучения ~4 кВт/см3. При длительности импульса накачки сотни наносекунд – примерно 1 мкс наибольшие энергии излучения реализуются без молекулярных добавок при относительно малой плотности тока пучка (удельная мощность накачки ~10 кВт·см-3·атм-1). Однако на установках с удельными мощностями накачки более 40 кВт·см3·атм-1 при ограничении давления рабочей смеси прочностью лазерной камеры молекулярные добавки дают увеличение энергии излучения и КПД. На широкоапертурных установках с большими мощностями накачки молекулярные добавки позволяют улучшить распределение плотности мощности излучения по сечению лазерного пучка.

PACS: 42.55.Lt, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 19.02.2002


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2002, 32:5, 449–454

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024