RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2002, том 32, номер 5, страницы 455–459 (Mi qe2218)

Управление параметрами лазерного излучения

Спектр антистоксова комбинационного ионного лазера в Λ-схемах с различными параметрами уровней

С. А. Бабин, С. И. Каблуков, С. М. Кобцев, В. В. Потапов, Д. В. Чуркин

Институт автоматики и электрометрии СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Исследована зависимость мощности генерации комбинационного лазера в режиме стоячей волны от частоты накачки, находящейся вблизи резонанса с ионными уровнями. Проведено сравнение спектра излучения в двух Λ-схемах ArII, различающихся временем жизни конечного уровня. В схеме с долгоживущим конечным уровнем при точном резонансе наблюдается резкий пик с амплитудой, превышающей в 1.5–2 раза амплитуду широкого контура, а в схеме с короткоживущим конечным уровнем спектральная особенность вблизи резонанса не наблюдается. Проведен анализ эффекта на основе модели, учитывающей кулоновское рассеяние ионов. Показано, что пик формируется из-за различного уширения беннетовских структур в распределении населенности рабочих уровней по скоростям. Во второй Λ-схеме вклад конечного уровня оказывается малым по амплитуде и резкий пик в спектре исчезает в соответствии с предсказаниями модели.

PACS: 42.55.Lt, 42.65.Dr

Поступила в редакцию: 20.02.2002


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2002, 32:5, 455–459

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024