Аннотация:
Развит дефектно-деформационный (ДД) механизм спонтанного образования ансамблей затравочных пор при травлении полупроводников и металлов, основанный на представлении о генерации и ДД-самоорганизации междоузлий и вакансий в процессе травления. Для p-Si получено хорошее соответствие теоретических и экспериментальных результатов, в частности выявлен предсказываемый ДД-моделью квазигексагональный порядок в расположении микропор на поверхности и показана возможность управления свойствами ансамбля с помощью внешних воздействий.