RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2002, том 32, номер 6, страницы 473–475 (Mi qe2225)

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Письма

Дефектно-деформационный механизм спонтанной нуклеации ансамбля пор в твердых телах и его экспериментальная проверка

В. И. Емельяновa, К. И. Ереминa, В. В. Старковb

a Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
b Институт проблем технологии микроэлектроники РАН, п. Черноголовка, Московская обл.

Аннотация: Развит дефектно-деформационный (ДД) механизм спонтанного образования ансамблей затравочных пор при травлении полупроводников и металлов, основанный на представлении о генерации и ДД-самоорганизации междоузлий и вакансий в процессе травления. Для p-Si получено хорошее соответствие теоретических и экспериментальных результатов, в частности выявлен предсказываемый ДД-моделью квазигексагональный порядок в расположении микропор на поверхности и показана возможность управления свойствами ансамбля с помощью внешних воздействий.

PACS: 81.65.Cf, 68.35.Gy, 61.72.Cc, 81.16.Rf

Поступила в редакцию: 29.03.2002


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2002, 32:6, 473–475

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024