RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2002, том 32, номер 6, страницы 516–522 (Mi qe2234)

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Дрейф ионов в магнитном поле при совместном действии эффектов СИД и светового давления

А. И. Пархоменко

Институт автоматики и электрометрии СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Теоретически исследовано влияние магнитного поля на дрейф ионов в слабоионизованном газе под совместным действием светоиндуцированного дрейфа (СИД) и светового давления. Показано, что при наложении внешнего магнитного поля может возникать поперечная направлению распространения излучения компонента скорости дрейфа ионов под действием света. Установлено, что в достаточно сильных магнитных полях эффект светового давления доминирует над эффектом СИД, в то время как в слабых магнитных полях ситуация обратная. Продемонстрировано радикальное изменение зависимости скорости дрейфа ионов от расстройки частоты излучения в магнитном поле, обусловленное действием на ионы силы Лоренца. Предсказывается, что с ростом магнитного поля проекция скорости дрейфа ионов на направление излучения должна изменять свой знак и может наблюдаться аномальный СИД.

PACS: 32.80.Lg, 42.50.Vk

Поступила в редакцию: 13.11.2001


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2002, 32:6, 516–522

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024