Поправки

Поправка к статье: Влияние особенностей гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/(Al)GaAs, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, на спектр излучения одномодовых лазерных диодов

П. В. Булаев, О. И. Говорков, И. Д. Залевский, В. Г. Кригель, А. А. Мармалюк, Д. Б. Никитин, А. А. Падалица, А. В. Петровский