Особенности взаимодействия УКИ лазерного излучения с тонкой пленкой полупроводника, обусловленные генерацией экситонов и биэкситонов

Исследовано нестационарное пропускание (отражение) двух разнесенных во времени УКИ лазерного излучения тонкими пленками полупроводника, в которых фотоны одного из импульсов при двухфотонном поглощении генерируют биэкситоны из основного состояния кристалла, а фотоны другого импульса вызывают оптическую экситон-биэкситонную конверсию. Обнаружен ряд принципиально новых эффектов при нестационарном пропускании (отражении) и предложена их интерпретация.