RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1994, том 21, номер 11, страницы 1080–1084 (Mi qe231)

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Влияние диффузии ионов в пространстве скоростей на эффект насыщения

К. Б. Курлаев, Д. А. Шапиро

Институт автоматики и электрометрии СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Получена кривая насыщения – зависимость мощности поглощенного или испущенного ионами излучения от интенсивности падающего. Найдена частота вынужденных переходов для ионов низкотемпературной плазмы, в которой столкновения приводят к диффузионному блужданию частиц в пространстве скоростей. Теоретически показано, что распределение частоты переходов по скоростям имеет заостренный провал в области резонанса, форма которого совпадает с измеренной. Проведено сравнение кривой насыщения с экспериментальными данными по резонансной флуоресценции разряда с полым катодом и по мощности одночастотной генерации аргонового лазера. Демонстрируется удовлетворительное согласие теории с результатами экспериментов.

PACS: 52.25.Rv, 51.20.+d, 52.80.Dy, 42.55.Lt

Поступила в редакцию: 15.03.1994


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1994, 24:11, 1003–1007

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024