Аннотация:
Получена кривая насыщения – зависимость мощности поглощенного или испущенного ионами излучения от интенсивности падающего. Найдена частота вынужденных переходов для ионов низкотемпературной плазмы, в которой столкновения приводят к диффузионному блужданию частиц в пространстве скоростей. Теоретически показано, что распределение частоты переходов по скоростям имеет заостренный провал в области резонанса, форма которого совпадает с измеренной. Проведено сравнение кривой насыщения с экспериментальными данными по резонансной флуоресценции разряда с полым катодом и по мощности одночастотной генерации аргонового лазера. Демонстрируется удовлетворительное согласие теории с результатами экспериментов.