RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2003, том 33, номер 2, страницы 129–141 (Mi qe2374)

Эта публикация цитируется в 24 статьях

Специальный выпуск, посвященный 80-летию академика Н. Г. Басова

Мощные инфракрасные Ar–Xe-лазеры высокого давления

И. В. Холин

Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: Представлен обзор исследований лазеров высокого давления на Ar–Xe-смеси с накачкой электронным пучком и электроионизационным разрядом. Предложен новый способ накачки лазерных переходов электроионизационным разрядом, связанный с использованием в качестве "основного" лазерного уровня возбужденных состояний атома Xe. На основе этого способа создан электроионизационный лазер на ИК переходах атома ксенона с объемом активной области 10 л и длительностью импульса генерации 5 мкс. Более чем на порядок увеличены удельные (до 8 Дж/л) и более чем на два порядка абсолютные (до 80 Дж) энергетические характеристики электроразрядных лазеров на инертных газах. Показано, что эффективность преобразования вложенной в разряд электрической энергии в лазерное излучение может достигать 5%. При энергосъемах, близких к максимальным, получена расходимость лазерного излучения ~3 × 10-5 рад. Показана принципиальная возможность создания импульсно-периодического ксенонового лазера с длиной волны излучения λ = 1.73 мкм, удельным энергосъемом 0.5 – 1.0 кВт/л и КПД в пределах 2.0–3.2%.

PACS: 42.55.Lt, 42.60.Jf, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 02.10.2002


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2003, 33:2, 129–141

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024