А. С. Грабчиков, А. Н. Кузьмин, В. А. Лисинецкий, В. А. Орлович, А. П. Войтович, А. А. Демидович, Г. Й. Эйхлер, А. Н. Титов, “Микрочип-лазер на кристалле Yb:KYW с ВКР-самопреобразованием частоты генерации”, Квантовая электроника, 33:2 (2003), 165

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Лазеры

Микрочип-лазер на кристалле Yb:KYW с ВКР-самопреобразованием частоты генерации

А. С. Грабчиков^a, А. Н. Кузьмин^a, В. А. Лисинецкий^a, В. А. Орлович^a, А. П. Войтович^b, А. А. Демидович^b, Г. Й. Эйхлер^c, А. Н. Титов^d

^a Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, г. Минск
^b Институт молекулярной и атомной физики НАН Беларуси
^c Optical Institute, Technische Universität Berlin, Germany
^d Всероссийский научный центр "Государственный оптический институт им. С. И. Вавилова", г. Санкт-Петербург

Аннотация: Представлены результаты исследования микрочип-лазера на кристалле Yb:KYW с диодной накачкой в режимах непрерывной генерации и пассивной модуляции добротности. Максимальный дифференциальный КПД генерации в непрерывном режиме составил 23%. Реализован режим ВКР-самопреобразования частоты генерации микрочип-лазера.

PACS: 42.55.Rz, 42.55.Xi, 42.60.Fc, 42.65.Dr

Поступила в редакцию: 08.07.2002