RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2003, том 33, номер 5, страницы 377–379 (Mi qe2421)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Письма

Возможно ли получение больших концентраций носителей в полупроводнике для наблюдения бозе-конденсата при комнатной температуре?

А. Н. Ораевский

Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: Обсуждаются эксперименты, позволяющие получить высокие концентрации носителей (5×1019–1020 см-3) в полупроводнике с помощью фемтосекундных импульсов излучения. При таких концентрациях ожидается образование бозе-конденсата электронно-дырочной плазмы при комнатной температуре, сопровождающееся явлением сверхизлучения. Определена минимальная (пороговая) энергия, которая должна быть поглощена в элементарном акте для получения заданной концентрации свободных носителей. При значительной концентрации носителей в зоне проводимости арсенида галлия могут возникать носители с разным знаком массы, а следовательно, возможно эффективное кулоновское притяжение между носителями одной зоны, что нужно учитывать при образовании коррелированного состояния носителей.

PACS: 42.50.Gy

Поступила в редакцию: 04.03.2003


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2003, 33:5, 377–379

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024