RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2003, том 33, номер 6, страницы 474–484 (Mi qe2439)

Эта публикация цитируется в 12 статьях

Приглашенная статья

Пеннинговские лазеры высокого давленияна 3p – 3s-переходах неона с длинами волн 703 и 725 нм

Д. А. Заярный, И. В. Холин

Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: Исследованы лазеры высокого давления с пеннинговской очисткой нижних лазерных уровней на 3p – 3s-переходах неона, накачиваемых пучком быстрых электронов. Сообщается о первом запуске мощных лазеров на неисследованных ранее переходах с длинами волн λ = 703.2 и 724.5 нм. Оптимизированы энергетические характеристики лазеров (включая лазер с λ = 585.2 нм) при электронно-пучковой накачке с плотностью тока j = 1.7 А/см2 и рассмотрена динамика генерации этих лазеров, а также динамика коэффициентов усиления слабого сигнала и наведенного ("горячего") поглощения.

PACS: 42.55.Lt, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 07.10.2002
Исправленный вариант: 30.01.2003


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2003, 33:6, 474–484

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024