Сверхширокополосный мощный суперлюминесцентный диод с длиной волны излучения 920 нм

Исследованы физические характеристики суперлюминесцентных диодов (СЛД) на основе однослойной квантоворазмерной гетероструктуры с (InGa)As-активным слоем и градиентным волноводом. В зависимости от длины активного канала СЛД в режиме пространственно-однородной инжекции мощность излучения на выходе съюстированного относительно излучателя одномодового волоконного световода составляла 1–10 мВт при ширине спектра 100–110 нм, что соответствует длине когерентности 7.6–8.8 мкм.