RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2003, том 33, номер 10, страницы 861–868 (Mi qe2515)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Активные среды

Интерферометрические исследования электронных изменений показателя преломления лазерного кристалла Nd:YAG при интенсивной накачке

О. Л. Антипов, О. Н. Еремейкин, А. П. Савикин

Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: С помощью поляризационного интерферометра исследованы изменения показателя преломления лазерного кристалла Nd:YAG при его интенсивной накачке. Выявлена значительная электронная компонента изменений показателя преломления, связанная с возбуждением электронного уровня 4F3/2 ионов Nd3+ при накачке кристалла излучением импульсной диодной матрицы на длине волны 808 нм. При дополнительной накачке кристалла Nd:YAG лазерным пучком на длине волны 266 нм обнаружено существенное возрастание электронной компоненты показателя преломления, обусловленное заселением высокоэнергетичного уровня 2F(2)5/2. С помощью аналитических расчëтов показано, что коротковолновые 4f–5d-переходы вносят доминирующий вклад в поляризуемость возбуждëнных ионов Nd3+ на длине волны рабочего лазерного перехода 1064.2 нм.

PACS: 42.70.Hj, 42.55.Rz, 42.25.Gy

Поступила в редакцию: 21.04.2003


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2003, 33:10, 861–868

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024