RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2003, том 33, номер 10, страницы 894–896 (Mi qe2519)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество

ИК многофотонная диссоциация трихлорсилана под действием импульсного излучения CO2- и NH3-лазеров

В. М. Апатин, В. Б. Лаптев, Е. А. Рябов

Институт спектроскопии РАН, Москва, г. Троицк

Аннотация: Исследована ИК многофотонная диссоциация молекул трихлорсилана (SiHCl3) под действием излучения импульсных CO2- и NH3-лазеров. Получены зависимости выхода диссоциации от частоты и плотности энергии лазерного излучения, а также от собственного давления SiHCl3. Обнаружено, что основными продуктами диссоциации трихлорсилана являются HCl и твердый осадок предположительно с общей химической формулой (SiCl2)n.

PACS: 33.80.Gj, 28.60.+s

Поступила в редакцию: 16.09.2002
Исправленный вариант: 05.03.2003


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2003, 33:10, 894–896

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024