RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2003, том 33, номер 11, страницы 941–948 (Mi qe2528)

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Лазеры

Устойчивость и автостабилизация одночастотного режима генерации полупроводникового лазера

Д. В. Батракa, А. П. Богатовb, Ф. Ф. Каменецa

a Московский физико-технический институт (государственный университет), г. Долгопрудный, Московская обл.
b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: На основе модели, включающей одну лазерную моду и две ближайшие к ней подпороговые моды, рассмотрена задача устойчивости одночастотной генерации. Показано, что при параметрическом взаимодействии лазерной и подпороговых мод из-за биения концентрации электронов на межмодовой частоте возможна автостабилизация одночастотного режима генерации, в котором ширина области расстройки лазерной частоты относительно спектрального максимума усиления может превышать межмодовое расстояние и может наблюдаться спектральный гистерезис.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Mi

Поступила в редакцию: 15.01.2003


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2003, 33:11, 941–948

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024