RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2003, том 33, номер 11, страницы 981–986 (Mi qe2534)

Эта публикация цитируется в 14 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Формирование ионного тока высокотемпературной фемтосекундной лазерной плазмы на поверхности мишени, содержащей примесный слой

Р. В. Волковa, Д. М. Голишниковb, В. М. Гордиенкоb, М. С. Джиджоевb, И. М. Лачкоb, Б. В. Марьинc, П. М. Михеевb, А. Б. Савельевb, Д. С. Урюпинаb, А. А. Шашковb

a Международный учебно-научный лазерный центр МГУ им. М. В. Ломоносова
b Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
c НИИ ядерной физики им. Д. В. Скобельцына, МГУ им. М. В. Ломоносова

Аннотация: С использованием времяпролетной и масс-спектрометрической методик исследовано влияние примесной пленки на поверхности мишени, находящейся в вакууме до 10-5 Тор, на ускорение ионов в плазме, формируемой фемтосекундным лазерным импульсом интенсивностью 2 × 1016 Вт/см2. Показано, что наибольшую среднюю энергию на единицу заряда (8.5 кэВ) получают в такой ситуации протоны, в то время как ионы, составляющие вещество мишени (Si, Ti), получают энергию на единицу заряда, не превышающую 1 кэВ. Использование лазерного импульса наносекундной длительности с плотностью энергии менее 10 Дж/см2, опережающего фемтосекундный лазерный импульс на 0.1–100 мс, позволило эффективно очищать поверхность мишени за счет удаления с нее молекул, содержащих водород, углерод и кислород. В отличие от непрерывного теплового нагрева поверхности лазерная импульсная очистка обеспечивает большие температуры нагрева и может эффективно применяться для любых твердотельных мишеней в режиме как тепловой, так и плазменной очистки.

PACS: 52.38.Kd, 52.70.Nc, 52.77.Bn

Поступила в редакцию: 22.05.2003
Исправленный вариант: 04.09.2003


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2003, 33:11, 981–986

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024