Оптимизация легирования эмиттеров в лазерных гетероструктурах AlGaInP/GaInP

Исследовано влияние уровня легирования эмиттеров на характеристики лазерных диодов, изготовленных на основе системы AlGaInP/GaInP/GaAs и излучающих на длине волны 670–680 нм. Экспериментально показано, что при увеличении отношения уровней легирования эмиттеров P/N наблюдается увеличение плотности тока инверсии J₀ и коэффициента дифференциального усиления β. Одновременно с этим монотонно увеличивается и характеристическая температура T₀. Внутренний квантовый выход вынужденной рекомбинации η₀ имеет максимум при P/N = 2.1. Изготовлены лазерные диоды с шириной мезаполоски 100 мкм, на которых в непрерывном режиме достигнута мощность излучения до 1000 мВт при эффективности 1.55 Вт/А.