Исследование лазера на кристалле KGW:Nd3+ с поперечной накачкой линейками лазерных диодов

Проведены экспериментальные исследования импульсного лазера на кристалле KGW:Nd³⁺ с поперечной накачкой излучением линеек лазерных диодов. Оптимизация параметров лазера позволила получить максимальную дифференциальную эффективность около 50% на λ = 1.067 мкм в режиме свободной генерации. С помощью ВКР-самопреобразования в кристалле KGW:Nd³⁺ получена генерация в безопасной для зрения области спектра (λ = 1.538 мкм) с энергией до 5 мДж и частотой следования импульсов до 20 Гц.