Двухпроходные суперлюминесцентные диоды с пониженным энергопотреблением на основе многослойной квантоворазмерной (GaAl)As-гетероструктуры

Исследованы суперлюминесцентные диоды (СЛД) спектрального диапазона 820–840 нм с искривлëнным активным каналом на основе трëхслойной квантоворазмерной (GaAl)As-гетероструктуры, предназначенные для работы без принудительной термостабилизации в диапазоне температур -55°С – +93°С с оптической мощностью на выходе одномодового волоконного световода порядка 0.1 мВт. По сравнению с СЛД традиционной конструкции на основе ''объëмной'' двойной гетероструктуры с раздельным ограничением носителей получен значительный выигрыш по рабочим токам и потребляемой мощности.