RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2004, том 34, номер 3, страницы 209–212 (Mi qe2613)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Лазеры

Мощные суперлюминесцентные диоды с неинжектируемыми выходными секциями

П. А. Лобинцовa, Д. С. Мамедовa, В. В. Прохоровa, А. Т. Семеновa, С. Д. Якубовичb

a ООО "Суперлюминесцентные диоды", г. Москва
b Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)

Аннотация: Исследованы суперлюминесцентные диоды в спектральной области 850 нм на основе (GaAl)As-гетероструктуры с раздельным ограничением. На выходных участках узкого активного канала шириной 4 мкм контактный слой p+-GaAs был удален, а металлический контакт не наносился. Эти участки выполняли функцию насыщающихся поглотителей. Использование такой конструкции позволило значительно повысить порог катастрофической деградации и получить непрерывную выходную мощность с торца 250 мВт. Мощность, выводимая через отрезок одномодового волоконного световода при простейшем методе стыковки, достигала 110 мВт.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Da, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 19.01.2004


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2004, 34:3, 209–212

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024